[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210092227.4 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367431A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈乐乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS晶体管及其制造方法，通过在漏极漂移区中形成与源漏极反型的漏极调谐区，使得LDMOS晶体管具有类似于JFET晶体管的结构，漏极调谐区使得LDMOS晶体管的漂移区变窄，从而提高击穿电压，有利于具有更高击穿电压及更小面积的器件芯片的制造；本发明的LDMOS晶体管制造方法不需要额外的掩模板，在重掺杂形成源漏极区的同时就可以形成漏极调谐区，可以与现有的CMOS的制造工艺完全兼容，同时从漏极调谐区引出控制极可以使得LDMOS晶体管具有可调谐性。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管，包括具有阱区的半导体衬底、位于所述半导体衬底表面内的源区和漏区以及位于所述半导体衬底上方的栅极，其特征在于，所述漏区包括漏极漂移区、位于漏极漂移区内的漏极接触区以及位于漏极漂移区内并靠近栅极的漏极调谐区，所述漏极调谐区与漏极接触区的掺杂类型相反。
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