[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供具有优秀电特性的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤形成栅电极；形成栅绝缘膜以覆盖栅电极；在栅绝缘膜上形成氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上形成氢渗透膜；在氢渗透膜上形成氢捕获膜；执行热处理以从氧化物半导体膜释放氢；形成与一部分氧化物半导体膜接触的源电极和漏电极；以及去除氢捕获膜的暴露部分以形成由氢渗透膜形成的沟道保护膜。还提供由上述方法制造的半导体器件。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成栅电极；形成栅绝缘膜以覆盖所述栅电极；在所述栅绝缘膜上形成氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体膜上形成具有氢渗透性质的第一膜；在所述第一膜上形成具有氢捕获性质的第二膜；执行热处理以将所述氧化物半导体膜中包含的氢通过所述第一膜传递到所述第二膜；在所述热处理之后对所述氧化物半导体、所述第一膜和所述第二膜的一部分进行第一去除；在所述第一去除之后对所述第一膜和所述第二膜的一部分进行第二去除；形成与所述氧化物半导体膜的一部分接触的源电极和漏电极；以及对与所述氧化物半导体膜中的沟道形成区重叠的所述第二膜的一部分进行第三去除。