[发明专利]三族氮化物高电子迁移率晶体管无效
| 申请号： | 201210093097.6 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367417A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王伟州;黄皆智;黄子轩 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种三族氮化物高电子迁移率晶体管(HEMT)。该三族氮化物高电子迁移率晶体管依序包含一基板、一氮化镓缓冲层、一氮化镓通道层、一氮化铝间隔层、一阻障层、一氮化镓覆盖层、以及一介于阻障层及氮化铝间隔层之间的单原子掺杂层。本发明的高电子迁移率晶体管结构能在维持低接触电阻的同时，提高电子迁移率以及二维电子气的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种三族氮化镓高电子迁移率晶体管，依序包括：一基板；一氮化镓缓冲层；一氮化镓通道层；一氮化铝间格层；一单原子掺杂层；一阻障层；以及一氮化镓覆盖层。
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