[发明专利]一种顶层金属的形成方法有效
申请号: | 201210093520.2 | 申请日: | 2012-03-31 |
公开(公告)号: | CN102610536B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 钟政;顾以理 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种顶层金属的形成方法,在具有钨通道的金属绝缘层上形成一层阻挡层,刻蚀阻挡层形成通孔,形成金属层,使得台阶差变小,从而使得后续形成的光阻能够完全覆盖器件表面,解决了传统工艺和传统光阻无法实现的问题。另一方面,基于第一区金属层的表面低于第二区金属层的表面进行光刻对准,使得对准过程不会由于金属纹路和厚度增加所导致的透光性变差而受到影响,避免了质量上可能出现的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 顶层 金属 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种顶层金属的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底上具有金属连线区;在所述衬底上形成阻挡层,所述阻挡层暴露出所述金属连线区;形成金属层,所述金属层包括覆盖所述金属连线区的第一区金属层,及覆盖所述阻挡层的第二区金属层,其中,第一区金属层的表面低于第二区金属层的表面;形成第一光阻层,所述第一光阻层覆盖所述第一区金属层及第二区金属层;基于第一区金属层的表面低于第二区金属层的表面进行光刻对准,对所述第一光阻层进行光刻;以光刻后的第一光阻层为掩膜,刻蚀完全去除第二区金属层,所述第一区金属层形成顶层金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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