[发明专利]绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201210093721.2 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102637732B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 苟鸿雁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 根据本发明的绝缘栅双极型晶体管包括集电极、漂移区、缓冲区、发射极以及栅极；其中所述发射区与所述漂移区之间形成了第一个PN结，漂移区与所述集电区之间形成了第二个PN结，所述发射区与所述场效应晶体管的源区之间形成了第三个PN结；集电区包括第一掺杂区、第二掺杂区以及第三反型掺杂区；其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有第一掺杂类型，并且所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第三反型掺杂区具有第二掺杂类型；并且，所述漂移区和所述第三反型掺杂区布置在所述第二掺杂区的相对两侧，所述漂移区和所述第三反型掺杂区不接触；所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三反型掺杂区两两彼此邻接。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，其包括：集电区、漂移区、缓冲区、体区以及栅极；其中所述体区与所述漂移区之间形成了第一个PN结，所述漂移区与所述集电区之间形成了第二个PN结，所述体区与所述绝缘栅双极型晶体管的发射区之间形成了第三个PN结；其特征在于，所述集电区包括第一掺杂区、第二掺杂区以及第三反型掺杂区；其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有第一掺杂类型，并且所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第三反型掺杂区具有第二掺杂类型；并且其中，所述漂移区和所述第三反型掺杂区布置在所述第二掺杂区的相对两侧，并且所述漂移区和所述第三反型掺杂区不接触；此外，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三反型掺杂区两两彼此邻接，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区均接触所述缓冲区，所述第二掺杂区的厚度为0.7微米或1.0微米。
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