[发明专利]一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法有效
| 申请号： | 201210093722.7 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102659447A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 张劲松;田冲;曹小明;杨振明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/565;B01D71/02;B01D67/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域，具体为一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法，该种纯质碳化硅过滤膜层具有高通孔隙率、低压降、强度高、抗热冲击性能好、使用温度高的特点，制备方法易于实现，能够保证产品性能。纯质碳化硅过滤膜层的组成为纯质SiC，表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成，孔径0.1～20μm，膜层孔隙率在25～50％之间。采用细碳化硅颗粒、硅粉、造孔剂添加剂及有机树脂配制膜层原料，采用喷涂或浸渍方法表面制备膜层，经干燥后，烧结得到纯质碳化硅膜层。本发明可在氧化气氛下使用，也可以在还原气氛下使用，耐酸、碱腐蚀性能强，可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 滤膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纯质碳化硅过滤膜层，其特征在于：纯质碳化硅过滤膜层的组成为纯质SiC，表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成，孔径0.1～20μm，膜层孔隙率在25～50％之间。
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