[发明专利]基于SOI的纵向堆叠式后栅型Si-NWFET制造方法

摘要

本发明的基于SOI的纵向堆叠式后栅型硅纳米线场效应晶体管制备方法，包括：在SOI上交替沉积硅层和锗硅层，形成鳍形有源区并在鳍形有源区内形成硅纳米线，接着在源漏区之间形成隔离介质层；并在硅纳米线表面形成栅极氧化层；最后在所述鳍形有源区内的SOI衬底上形成栅极。由于SOI中绝缘体层的存在，有效增加了栅极与SOI衬底之间的隔离效果；又由于在硅纳米线上形成栅极氧化层工艺是独立进行的，从而可以采用常规的栅极氧化层；又由于栅极形成在源漏区离子注入之后，即采用后栅极工艺，利于栅极轮廓和器件电性的控制。此外采用纵向堆叠式后栅型硅纳米线结构来设计硅纳米线场效应晶体管结构，纳米线条数增多，器件电流驱动能力增大。

主权项

一种基于SOI的纵向堆叠式后栅型Si‑NWFET制造方法，其特征在于，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次包括硅衬层、绝缘体层和顶层硅；对所述SOI衬底表面进行处理，将所述SOI衬底的顶层硅转化为初始锗硅层；在所述SOI衬底上交替形成硅层和后续锗硅层，所述初始锗硅层和后续锗硅层共同构成锗硅层；对所述锗硅层和硅层刻蚀处理，形成鳍形有源区，剩余的区域作为源漏区；在所述鳍形有源区内形成硅纳米线，所述硅纳米线纵向堆叠；在所述硅纳米线表面形成栅极氧化层；在所述SOI衬底上的沟道内形成隔离介质层并进行源漏区离子注入和退火工艺；在鳍形有源区内的SOI衬底上形成栅极。