[发明专利]一种基于垂直磁化自由层的磁性多层膜及磁性传感器无效
| 申请号： | 201210094191.3 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102623018A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 曾中明;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;G11B5/39 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于垂直磁化自由层的磁性多层膜及磁性传感器。该磁性多层膜包括：具有面内平衡磁化状态的第一磁性层;形成于第一磁性层之上的非磁性隔离层;以及，形成于非磁性隔离层之上的具有垂直磁化的自由层。该磁性传感器包含有该磁性多层膜。藉由前述结构，本发明磁性多层膜中两个磁性层的磁化方向呈90°，在制成磁传感器时具有尺寸小、分辨率高以及结构简单等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 垂直 磁化 自由 磁性 多层 传感器 | ||
【主权项】：
一种基于垂直磁化自由层的磁性多层膜，其特征在于，它包括：具有面内平衡磁化状态的第一磁性层（L1）; 形成于第一磁性层（L1）之上的非磁性隔离层(SL) ；以及，形成于非磁性隔离层（SL）之上的具有垂直磁化的磁性自由层 (L2)。
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