[发明专利]一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置有效
| 申请号： | 201210094395.7 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102605335A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 周灵平;梁凤敏;彭坤;朱家俊;李德意;李绍禄 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/46;C23C14/06 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于太阳能电池用微晶硅薄膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该方法包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积(IBS)或离子束辅助沉积(IBAD)方法在衬底上溅射硅靶预沉积一层硅同质过渡层，所述硅同质过渡层厚度为50nm～200nm；(2)磁控溅射镀膜：采用磁控溅射在所述硅同质过渡层上沉积硅薄膜。该方法可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；该方法通过离子束磁控溅射复合镀膜的装置实现，在同一真空室内完成，节约设备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子束 磁控溅射 步法 制备 微晶硅 薄膜 方法 复合 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积或离子束辅助沉积方法在衬底上溅射硅靶预沉积一层硅同质过渡层，所述硅同质过渡层厚度为50nm～200nm；离子束溅射沉积是指用离子束溅射硅靶材沉积硅薄膜的方法，离子束辅助沉积是指用离子束溅射沉积硅薄膜的同时，用中能离子束对硅薄膜进行辅助轰击的方法；(2)磁控溅射镀膜：采用磁控溅射在所述硅同质过渡层上沉积硅薄膜：具体控制参数为：衬底温度为300℃～500℃，氢气体积浓度：50％～95％，溅射工作气压0.5Pa～10Pa。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学，未经湖南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210094395.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：沥青路面真空压路机及其路面压实方法
- 下一篇：一种公路边路缘石的铺设方法
- 同类专利
- 专利分类
