[发明专利]一种透明阻变存储器无效
| 申请号： | 201210094636.8 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102593143A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;吴科伟;卢洋藩;黄靖云;汪雷 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的透明阻变存储器，自下而上依次有透明衬底、下电极、阻变存储层和上电极，下电极连接引线，上电极与导线相连；所述的上电极和下电极均为铝掺杂氧化锌薄膜或镓掺杂氧化锌薄膜；所述的阻变存储层为镁掺杂氧化锌薄膜或铍掺杂氧化锌薄膜。本发明通过采用掺镁（或铍）的氧化锌薄膜作为阻变存储器的存储单元，可以获得良好的电阻转变及记忆特性。本发明的阻变存储器具有透光性好、存储密度高和稳定性好等优点，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 存储器 | ||
【主权项】：
一种透明阻变存储器，其特征在于：自下而上依次有透明衬底（1）、下电极（2）、阻变存储层（3）和上电极（4），下电极（2）连接引线（5），上电极（4）与导线（6）相连；所述的上电极（4）和下电极（2）均为铝掺杂氧化锌薄膜或镓掺杂氧化锌薄膜；所述的阻变存储层（3）为镁掺杂氧化锌薄膜或铍掺杂氧化锌薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210094636.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于堆垛机的吊挂移动电缆
- 下一篇：强附着性缩醛漆包扁线
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
