[发明专利]半导体封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201210094779.9 申请日: 2012-03-31
公开(公告)号: CN102623426A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 王之奇;喻琼;俞国庆;王蔚 申请(专利权)人: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明揭示了一种半导体封装结构及其形成方法,其中封装结构包括:芯片,其上设有多个焊垫;转接板,所述转接板上表面凹陷有收容空间,所述芯片收容于所述收容空间内;通孔,其贯穿所述转接板并与所述收容空间连通;导电介质,设置于所述通孔内及所述转接板下表面,所述焊垫与所述导电介质电性连接;其中,在所述转接板下表面的导电介质电性连接有多个金属凸点,所述多个金属凸点的节距大于所述多个焊垫的节距。通过在转接板上设置可容纳芯片的收容空间,降低了转接板封装的工艺难度,进而降低了生产成本。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 方法
【主权项】:
一种半导体封装方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:提供一转接板,自所述转接板上表面形成凹陷的收容空间;提供一芯片,其上设有多个焊垫,将所述芯片设置于所述收容空间内;在所述转接板上形成贯穿所述转接板并与所述收容空间连通的通孔;在所述通孔内及所述转接板下表面设置导电介质,将所述焊垫与所述导电介质电性连接,并在所述转接板下表面形成与所述导电介质电性连接的多个节距大于所述多个焊垫节距的金属凸点。
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