[发明专利]峰值响应在532 nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201210094925.8 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102610472A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 常本康;陈鑫龙;张益军;赵静;金睦淳;钱芸生 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种峰值响应在532nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上依此由GaAs衬底（1）、Ga1-x1Alx1As缓冲层（2）、Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层（3）以及Cs/O激活层（4）叠加而成。对生长好的GaAlAs光电阴极组件进行化学清洗、加热净化和（Cs，O）激活，最终在Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层表面形成Cs/O激活层。本发明解决了现有GaAs光电阴极响应波段宽、在532nm处噪声大、不能全天候使用的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 峰值 响应 532 nm 敏感 反射 gaalas 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种峰值响应在532 nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极，其特征在于：该阴极自下而上依此由GaAs衬底（1）、Ga1‑x1Alx1As缓冲层（2）、Ga1‑x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层（3）以及Cs/O激活层（4）叠加而成。
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