[发明专利]一种增强型太阳能二次聚光装置无效
申请号: | 201210095814.9 | 申请日: | 2012-04-04 |
公开(公告)号: | CN102610684A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 王永向 | 申请(专利权)人: | 成都聚合科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610207 四川省成都市双流县西南航空港*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种增强型太阳能二次聚光装置,属太阳能发电技术领域。二次聚光装置为一锥形结构,其材质为光强损耗很小的纯粹石英,包括上、下两个端口和四个等腰梯形的侧面,上、下两端口敞开,四个等腰梯形的侧面封闭,在二次聚光装置的内表面镀有高反射膜层,上端口为太阳光入射口,下端口为太阳光出射口,上端口的面积大于下端口的面积。本发明不仅二次聚光装置结构简单,该二次聚光装置不仅能起到对垂直入射到一次聚光装置上的光进行二次聚光的作用,而且还可以对绝大部分起到对非垂直入射到一次聚光装置上的光进行二次聚光的作用,从而进一步提高太阳能电池转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 增强 太阳能 二次 聚光 装置 | ||
【主权项】:
一种增强型太阳能二次聚光装置,其特征是,所述二次聚光装置为一锥形结构的石英材质,包括上、下两个端口和四个等腰梯形的侧面,上、下两端口敞开,四个等腰梯形的侧面封闭,在二次聚光装置的内表面镀有高反射膜层,上端口为太阳光入射口,下端口为太阳光出射口,上端口的面积大于下端口的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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