[发明专利]具有硫族元素掺杂区域的衬底和半导体器件有效
| 申请号： | 201210095967.3 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102737967A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 贝恩德·科尔贝森;格哈德·施密特;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;H01J29/36;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了具有硫族元素掺杂区域的衬底和半导体器件。通过在未掺杂半导体衬底的一侧施加应力以释放衬底中的自间隙以及将硫族元素原子注入衬底的该侧从而对未掺杂半导体衬底进行掺杂。对该衬底进行退火，从而形成含有硫族元素原子的第一半导体区域以及没有硫族元素原子的第二半导体区域。第一半导体区域的掺杂浓度高于第二半导体区域的掺杂浓度。在存在自间隙的情况下，硫族元素原子内扩散至半导体材料还可用于形成功率半导体器件中的场终止区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 元素 掺杂 区域 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种对未掺杂半导体衬底进行掺杂的方法，包括：在所述未掺杂半导体衬底的一侧施加应力，从而释放所述衬底中的自间隙；将硫族元素原子注入所述衬底的所述侧；以及对所述衬底进行退火，从而形成含有所述硫族元素原子的第一半导体区域以及没有所述硫族元素原子的第二半导体区域，所述第一半导体区域的掺杂浓度高于所述第二半导体区域的掺杂浓度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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