[发明专利]用于电容式触控屏生产的磁控溅镀方法无效

专利信息
申请号: 201210096164.X 申请日: 2012-04-05
公开(公告)号: CN102605336A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 钟钢 申请(专利权)人: 江苏昭阳光电科技股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种用于电容式触摸屏生产的磁控溅镀方法,包括提供一具有溅镀空间的腔体,令一基材设于所述腔体的溅镀空间内,令一靶材设于所述腔体的溅镀空间内,并位于所述基材的一侧,在所述靶材上连接一电极,在所述靶材的正下方设置一磁场偏转线圈,令所述溅镀空间内部呈真空状态,并通入等离子体轰击所述靶材,所述靶材的原子被溅出,并受到所述磁场偏转线圈的偏转,有目标地沉积在所述基材上。通过上述方式,本发明通过控制靶材下落的路径,可一次性溅镀出客户需求的ITO导电材料图形,无需使用多层掩膜板,方法简便,既明显节约了材料,又显著降低了成本,可同时满足小批量的客制化产品试做需求和大批量生产需求。
搜索关键词: 用于 电容 式触控屏 生产 磁控溅镀 方法
【主权项】:
一种用于电容式触摸屏生产的磁控溅镀方法,其特征在于,所述的方法包括:提供一具有溅镀空间的腔体;令一基材设于所述腔体的溅镀空间内;令一靶材设于所述腔体的溅镀空间内,并位于所述基材的一侧,在所述靶材上连接一电极;在所述靶材的正下方设置一磁场偏转线圈;令所述溅镀空间内部呈真空状态,并通入等离子体轰击所述靶材;所述靶材的原子被溅出,并受到所述磁场偏转线圈的偏转,有目标地沉积在所述基材上。
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