[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片有效
| 申请号： | 201210096209.3 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102776554A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 何亮;胡动力;张涛;雷琦 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，包括：在坩埚内壁涂上一层氮化硅后，在坩埚底部铺垫一层多孔材料，然后在多孔材料上填装硅料；将填装有硅料的坩埚加热，使硅料熔化形成硅熔体，再调整热场，使硅熔体开始形核结晶；待硅熔体界面向远离所述坩埚底部的方向移动，定向结晶凝固完后，经退火冷却得到多晶硅锭。采用该制备方法能使多晶硅锭得到良好的初始形核，降低多晶硅锭在生长过程中的位错繁殖。本发明还同时公开了一种通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及以所述多晶硅锭为原料制得的多晶硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 及其 制备 方法 硅片 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：在坩埚内壁涂上氮化硅涂层后，在所述坩埚底部铺垫一层多孔材料，然后在所述多孔材料上填装硅料；加热所述填装有硅料的坩埚，使所述硅料熔化形成硅熔体，调整热场，使硅熔体开始形核结晶；待硅熔体界面向远离所述坩埚底部的方向移动，定向结晶凝固完后，经退火冷却得到多晶硅锭。
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