[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片有效
| 申请号： | 201210096255.3 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102776556A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 雷琦;万跃鹏;胡动力;张涛;钟德京;何亮;张学日;董一迪 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，包括：在坩埚内填装硅料后，加热使所述硅料熔化形成硅熔体，调整热场，使硅熔体在所述坩埚上进行形核结晶，该形核结晶过程为第一结晶阶段；待长出目标高度晶体后，调整热场使第一结晶阶段停止，在第一结晶阶段长出的晶体未完全熔化前，调整热场形成过冷状态，使得所述未结晶的硅熔体在所述第一结晶阶段形成的晶体层面上再形核结晶，所述再形核结晶过程为后续结晶阶段；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。采用本发明方法制备的多晶硅锭位错少，该制备方法尤其适用于大尺寸高硅锭的铸造。本发明还同时公开了一种通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及以所述多晶硅锭为原料制得的多晶硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 及其 制备 方法 硅片 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：在坩埚内填装硅料后，加热使所述硅料熔化形成硅熔体，调整热场，使硅熔体在所述坩埚上进行形核结晶，该形核结晶过程为第一结晶阶段；待长出目标高度晶体后，调整热场使第一结晶阶段停止，在第一结晶阶段长出的晶体未完全熔化前，调整热场形成过冷状态，使得所述未结晶的硅熔体在所述第一结晶阶段形成的晶体层面上再形核结晶，所述再形核结晶过程为后续结晶阶段；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。
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