[发明专利]用于多级单元存储单元的非顺序编码方案的方法和装置有效
| 申请号： | 201210096304.3 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102693759B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | Y·陈;D·斯蒂阿迪;P·J·赖安 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C11/56;G11C7/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于多级单元(MLC)存储单元的非顺序编码方案。具体而言，提供一种用于管理多级单元(MLC)存储单元阵列的装置和方法。根据多个实施例，非顺序编码方案被选择成相关于与多个物理状态的每一个相关联的写入尝试，向选定MLC存储单元多个可用物理状态的每一个分配不同的多位逻辑值。然后，相关于所选非连续编码方案向选定MLC存储单元写入数据。在一些实施例中，MLC存储单元包括自旋转矩转移随机存取存储器(STRAM)存储单元。在其它实施例中，MLC存储单元包括MLC闪存存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多级 单元 存储 顺序 编码 方案 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于数据存储的方法，包括：相关于与选定多级单元MLC存储单元的多个可用物理状态的每一个相关联的写尝试，选择向所述多个可用物理状态的每一个分配不同多位逻辑值的非顺序编码方案；以及相关于所述非顺序编码方案，向所述选定多级单元MLC存储单元写入数据，所述选择步骤包括通过向所述选定多级单元MLC存储单元施加写电流来将所述选定多级单元MLC存储单元依次转换到多个可用物理状态的每一个，对于每次转换测量所述写电流的幅度，以及相关于所述所测量的写电流的幅度选择非顺序编码方案。
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