[发明专利]导电结构及制造方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置无效
| 申请号： | 201210096583.3 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102664193A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 郑在纹;黄秋平;林盛实;金童燮;徐朝焕;徐华伟;陈正伟;薛建设 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;姜精斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种导电结构及制造方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。其中所述导电结构包括：由铜或铜合金形成的铜层；用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。本发明利用多层导电结构阻止外部离子扩散进入铜层以及铜层铜离子的向外扩散，从而减少离子扩散对铜金属层的电学性能和化学耐腐蚀性能的不良影响，同时，由于阻挡层与衬底基板或半导体层之间具有良好的粘附性，能够提高导电结构的粘合稳固程度；并且，该导电结构中的各个层都具有类似的刻蚀选择性，有利于对多层导电结构的刻蚀/图案化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 制造 方法 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种导电结构，其特征在于，包括：由铜或铜合金形成的铜层；用于阻挡所述铜层的铜离子向外扩散的阻挡层；用于阻挡外部离子扩散至所述铜层的防扩散层，所述防扩散层设置在所述铜层与所述阻挡层之间。
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