[发明专利]一种液态催化剂辅助化学气相沉积制备石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201210096785.8 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102583359A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 丁古巧;王庶民;龚谦;朱云;孙雷;狄增峰;谢晓明;江绵恒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 张艳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点之上进行化学气相沉积，从而在催化剂表面以及催化剂与基底界面形成连续的石墨烯薄膜。相比于铜和镍等固体催化剂表面生长石墨烯，本发明所制备的石墨烯层数可控、对基底表面微观形貌要求低、适用于多种基底材料、并且催化剂的移除非常简单。所获得的位于液体表面的石墨烯具有独特的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 液态 催化剂 辅助 化学 沉积 制备 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种化学气相沉积生长石墨烯的方法，其特征在于：以液态金属或液态合金作为催化剂，以非金属绝缘材料为基底，通过气态和/或固态碳源利用化学气相沉积法，在所述催化剂表面生长出石墨烯，或者在所述催化剂表面以及所述催化剂与基底接触的界面上生长出石墨烯。
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