[发明专利]石墨烯纳米窄带的制备方法有效
| 申请号： | 201210096863.4 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103359720A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 林晓阳;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯纳米窄带的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，设置一石墨烯膜于该基底的上表面，设置两个条形电极于该石墨烯膜的上表面，且与该石墨烯膜电绝缘；提供一碳纳米管拉膜复合结构，覆盖于该石墨烯膜的上表面，且与所述两个条形电极电接触，该碳纳米管拉膜复合结构由一碳纳米管拉膜结构与一高分子材料复合而成，该碳纳米管拉膜结构包括多个定向排列的碳纳米管束以及分布于其间的带状间隙；利用电子束轰击的方法去除所述多个碳纳米管束周围的高分子材料，从而露出该多个碳纳米管束；利用反应离子刻蚀该多个碳纳米管束及位于其下方的石墨烯膜，获得多个定向排列的石墨烯纳米窄带。本发明还涉及一种高分子掩膜的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 纳米 窄带 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯纳米窄带的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，设置一石墨烯膜于该基底的上表面，间隔设置两个相互平行的条形电极于该石墨烯膜远离基底的表面，且与该石墨烯膜电绝缘；提供一碳纳米管拉膜复合结构，覆盖于该石墨烯膜远离基底的表面，该碳纳米管拉膜复合结构与所述两个条形电极电接触，该碳纳米管拉膜复合结构由一碳纳米管拉膜结构与一高分子材料复合而成，该碳纳米管拉膜结构包括多个定向排列的碳纳米管束以及分布于所述碳纳米管束之间的带状间隙，该高分子材料的一部分分布于所述多个碳纳米管束周围，另一部分分布于所述多个碳纳米管束之间的带状间隙；利用电子束轰击的方法去除所述分布于多个碳纳米管束周围的高分子材料，从而露出该多个碳纳米管束；利用反应离子刻蚀该多个碳纳米管束及位于该多个碳纳米管束下方的石墨烯膜，获得多个定向排列的石墨烯纳米窄带；以及利用超声处理的方法，将残余的高分子材料与获得的石墨烯纳米窄带分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210096863.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
