[发明专利]石墨烯纳米窄带的制备方法有效
申请号: | 201210096878.0 | 申请日: | 2012-04-05 |
公开(公告)号: | CN103359723A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 林晓阳;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04;B82Y40/00 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种石墨烯纳米窄带的制备方法,包括以下步骤:提供一基底,设置一石墨烯膜于该基底的一表面;提供一碳纳米管拉膜结构,覆盖于该石墨烯膜远离基底的一表面,该碳纳米管拉膜结构包括多个定向排列的碳纳米管束以及分布于所述碳纳米管束之间的带状间隙;利用反应离子刻蚀该碳纳米管拉膜结构及位于该碳纳米管拉膜结构带状间隙下方的石墨烯膜,获得多个定向排列的石墨烯纳米窄带;以及利用超声处理的方法,将残余的碳纳米管拉膜结构与获得的石墨烯纳米窄带分离。 | ||
搜索关键词: | 石墨 纳米 窄带 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯纳米窄带的制备方法,包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面;设置一石墨烯膜于该基底的第一表面,该石墨烯膜具有一远离该基底的第三表面;提供一碳纳米管拉膜结构,该碳纳米管拉膜结构包括多个定向排列的碳纳米管束以及分布于所述碳纳米管束之间的带状间隙,将该碳纳米管拉膜结构覆盖于上述石墨烯膜的第三表面;利用反应离子刻蚀该碳纳米管拉膜结构及位于该碳纳米管拉膜结构的带状间隙下方的石墨烯膜,获得多个石墨烯纳米窄带;以及利用超声处理的方法,将残余的碳纳米管拉膜结构与获得的石墨烯纳米窄带分离。
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