[发明专利]光电二极管、光感测组件及光电二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201210097195.7 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102738260A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 舒芳安;蔡耀州;辛哲宏 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/105;H01L31/20;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种光电二极管、光感测组件及光电二极管的制造方法。光电二极管的N型半导体层与本质半导体层分别包含N型非晶型铟镓锌氧化物与本质非晶型铟镓锌氧化物，且本质非晶型铟镓锌氧化物的含氧量高于N型非晶型铟镓锌氧化物的含氧量。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 光感测 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电二极管，其特征在于，包含：一基板；一下电极，配置于该基板上；一N型半导体层，配置于该下电极上，其中该N型半导体层包含N型非晶型铟镓锌氧化物；一本质半导体层，配置于该N型半导体层上，其中该本质半导体层包含本质非晶型铟镓锌氧化物，且该本质非晶型铟镓锌氧化物的含氧量高于该N型非晶型铟镓锌氧化物的含氧量；以及一上电极，配置于该本质半导体层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
