[发明专利]用于制造半导体装置的方法

摘要

一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括：金属框架，包括贯通的开口；半导体芯片，提供在所述开口内；绝缘层，提供在所述金属框架的上表面上，使得绝缘层覆盖所述半导体芯片的上表面，该上表面是所述半导体芯片的电路形成表面；互连层，在插入所述绝缘层的绝缘材料的情况下，只提供在所述金属框架的上表面侧，所述互连层电连接到所述半导体芯片的电路；通孔导体，提供在所述半导体芯片的上表面上，以将所述半导体芯片的所述电路与所述互连层彼此电连接；树脂层，提供在所述金属框架的下表面上；以及金属图案，所述金属图案由填充贯通所述树脂层的开口的金属制成，所述金属图案至少提供在所述半导体芯片的下表面的正下方的区域中，所述方法包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖所述金属图案的树脂层；通过从所述金属基材的另一表面侧在所述金属基材中形成开口，使得所述金属图案被保留来得到金属框架；在所述半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在所述开口内；形成覆盖所述金属框架和所述半导体芯片的绝缘层；形成连接到所述半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到所述通孔导体的互连层；以及去除所述树脂层，使得所述金属图案被暴露。