[发明专利]具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210099004.0 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102738246A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | P.里斯;D.西普拉克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/41 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括设置在基板的第一区域中的第一掺杂区域。具有金属层的第一部分的第一金属电极设置在第一掺杂区域上且接触第一掺杂区域。第二掺杂区域设置在基板的第二区域中。电介质层设置在第二掺杂区域上。具有金属层的第二部分的第二金属电极设置在电介质层上。第二金属电极电容耦合到第二掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 电极 肖特基 二极管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：设置在基板的第一区域中的第一掺杂区域；设置在第一掺杂区域上且接触第一掺杂区域的第一金属电极，该第一金属电极包括金属层的第一部分；设置在基板的第二区域中的第二掺杂区域；设置在第二掺杂区域上的电介质层；以及设置在电介质层上的第二金属电极，该第二金属电极包括金属层的第二部分，该第二金属电极电容耦合到第二掺杂区域。
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