[发明专利]高密度氧化铌溅射靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201210099055.3 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102659405A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 扈百直;孙本双;刘孝宁;征卫星;马文卫 | 申请（专利权）人： | 西北稀有金属材料研究院 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人： | 叶学军 |
| 地址： | 753000 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高密度氧化铌溅射靶材的制备方法，原料为高纯度氧化铌粉末，其纯度大于99.99%。其制备过程按以下步骤完成：氧化铌粉末预处理；真空热压；靶材的机械加工。其中，真空热压的工艺条件为：在真空条件下，1150～1300℃保温，2～4h，保压压力10-12MPa。按本发明制备的氧化铌靶材，其密度达到4.50g/cm3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 氧化 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高密度氧化铌溅射靶材的制备方法，原料为高纯度氧化铌粉末，其纯度大于99.99%；其制备过程按以下步骤完成：A） 氧化铌粉末预处理；B) 真空热压；C) 靶材的机械加工。
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