[发明专利]带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法有效

专利信息
申请号: 201210099540.0 申请日: 2012-04-06
公开(公告)号: CN102621801A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 李艳秋;杨亮 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 李爱英;杨志兵
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种带SRAF的双层衰减相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法,具体步骤为:步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n,n为奇数;步骤二、针对带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模的每一光栅层,对其介电常数进行傅里叶Fourier展开;步骤三、根据布洛开条件,分别求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向和法向的分量;步骤四、利用步骤二中和步骤三中计算的参数,求解每层光栅的特征矩阵,根据电磁场切向连续边界条件,利用增强透射矩阵法求解出射区域的衍射场。采用本发明能分析带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模的锥形衍射场。
搜索关键词: 辅助 线条 双层 衰减 相移 锥形 衍射 计算方法
【主权项】:
1.一种带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法,其特征在于,具体步骤为:步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n,n为奇数;步骤二、针对带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模的每一光栅层,对其介电常数进行傅里叶Fourier展开;介电常数的Fourier展开式为:ϵl(x)=Σh=-DDϵl,hexp(j2πhx/Λ)---(1)]]>介电常数倒数的Fourier展开式为:1/ϵl(x)=Σh=-DDϵl,hexp(j2πhx/Λ)---(2)]]>其中l=[1,2],D=n-1,εl(x)为第l层光栅的介电常数,εl,h为第l层光栅相对介电常数第h个Fourier分量,为第l层光栅相对介电常数倒数的第h个Fourier分量,Λ为带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模周期;步骤三、根据布洛开条件,分别求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向和法向的分量,i取遍[-m,m]中的整数,2m+1=n,即i所取值的个数为n,m为正整数;波矢量沿着切向即x、y方向的分量为;kxi=ko[nIsinθcosφ-i(λ0/Λ)]ky=konIsinθsinφ---(3)]]>其中ko为入射光在真空中的波矢量,λ0为入射光在真空中的波长,nI为入射区的折射率,θ为光线入射角,φ为光线入射的方位角;波矢量沿着光栅平面的法向即z方向的分量为:kl,zi=+[(k0nl)2-kxi2-ky2]2(kxi2+ky2)<(k0nl)2-j[kxi2+ky2-(k0nl)2]1/2(kxi2+ky2)>(k0nl)2l=I,II---(4)]]>其中下标I表示入射区,下标II表示出射区;当l′=I时,nl′表示入射区的折射率,当l′=II时,nl′表示出射区的折射率,j表示虚数单位;步骤四、利用步骤二中的εl,h和步骤三中的kxi、ky、kl′,zi,求解每层光栅的特征矩阵,根据电磁场切向连续边界条件,利用增强透射矩阵法求解出射区域的衍射场。
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