[发明专利]带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法有效
申请号: | 201210099540.0 | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN102621801A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 李艳秋;杨亮 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 李爱英;杨志兵 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种带SRAF的双层衰减相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法,具体步骤为:步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n,n为奇数;步骤二、针对带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模的每一光栅层,对其介电常数进行傅里叶Fourier展开;步骤三、根据布洛开条件,分别求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向和法向的分量;步骤四、利用步骤二中和步骤三中计算的参数,求解每层光栅的特征矩阵,根据电磁场切向连续边界条件,利用增强透射矩阵法求解出射区域的衍射场。采用本发明能分析带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模的锥形衍射场。 | ||
搜索关键词: | 辅助 线条 双层 衰减 相移 锥形 衍射 计算方法 | ||
【主权项】:
1.一种带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法,其特征在于,具体步骤为:步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n,n为奇数;步骤二、针对带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模的每一光栅层,对其介电常数进行傅里叶Fourier展开;介电常数的Fourier展开式为:ϵ l ( x ) = Σ h = - D D ϵ l , h exp ( j 2 πhx / Λ ) - - - ( 1 ) ]]> 介电常数倒数的Fourier展开式为:1 / ϵ l ( x ) = Σ h = - D D ϵ ‾ l , h exp ( j 2 πhx / Λ ) - - - ( 2 ) ]]> 其中l=[1,2],D=n-1,εl(x)为第l层光栅的介电常数,εl,h为第l层光栅相对介电常数第h个Fourier分量,
为第l层光栅相对介电常数倒数的第h个Fourier分量,Λ为带辅助线条的双层衰减相移L/S掩模周期;步骤三、根据布洛开条件,分别求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向和法向的分量,i取遍[-m,m]中的整数,2m+1=n,即i所取值的个数为n,m为正整数;波矢量沿着切向即x、y方向的分量为;k xi = k o [ n I sin θ cos φ - i ( λ 0 / Λ ) ] k y = k o n I sin θ sin φ - - - ( 3 ) ]]> 其中ko为入射光在真空中的波矢量,λ0为入射光在真空中的波长,nI为入射区的折射率,θ为光线入射角,φ为光线入射的方位角;波矢量沿着光栅平面的法向即z方向的分量为:k l ′ , zi = + [ ( k 0 n l ′ ) 2 - k xi 2 - k y 2 ] 2 ( k xi 2 + k y 2 ) < ( k 0 n l ′ ) 2 - j [ k xi 2 + k y 2 - ( k 0 n l ′ ) 2 ] 1 / 2 ( k xi 2 + k y 2 ) > ( k 0 n l ′ ) 2 l ′ = I , II - - - ( 4 ) ]]> 其中下标I表示入射区,下标II表示出射区;当l′=I时,nl′表示入射区的折射率,当l′=II时,nl′表示出射区的折射率,j表示虚数单位;步骤四、利用步骤二中的εl,h、
和步骤三中的kxi、ky、kl′,zi,求解每层光栅的特征矩阵,根据电磁场切向连续边界条件,利用增强透射矩阵法求解出射区域的衍射场。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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