[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201210099699.2 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN103367318A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有硅贯通电极的半导体元件，包含有一基底，一氧化物层覆盖于所述的基底，至少一硅贯通电极贯穿所述的基底以及氧化物层中，且另包含多个深沟槽设置于硅贯通电极周围的基底中，前述的深沟槽会吸收热应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包含有：基底；氧化物层，设在所述基底上；至少一硅贯通电极，设在所述的基底以及所述氧化物层中，并且贯穿所述基底以及所述氧化物层；多个深沟槽，至少设于所述硅贯通电极周围的基底中；以及多个填充材料，设于所述的各深沟槽中。
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