[发明专利]一种新型的低沾染,免耗材的直拉炉设计无效
| 申请号： | 201210099756.7 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN103361715A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 丁欣 | 申请（专利权）人： | 丁欣 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200123 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及直拉法(CZ法)晶体生长法。指晶体生长的一种方法，用来获取半导体(如硅、锗、砷化镓)、金属(钯、铂、银、金)、盐，或者是合成宝石的单晶。也称切氏或者柴氏法，由波兰科学家切克劳斯基于1916年研究金属的结晶速率时发明的。本发明旨在在炉室内取消或者减少使用的石墨和碳碳复合材料，以减少像对应的各种污染。使用陶瓷非金属材料来加工直拉炉的炉室，炉膛，隔热材料或者其他位于炉室内的内件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 沾染 耗材 直拉炉 设计 | ||
【主权项】：
使用陶瓷材料作为炉室及其内件的直拉炉设计。本权利要求不限于完全使用陶瓷材料作为炉室，炉室中不承受高温部分(如炉盖，或炉底盘等部分)采用不锈钢等金属材料不构成对本专利权利要求的合理回避。如将本发明中的炉室(或者等价设计)置于某金属容器中，同样仍适用本发明的权利要求，不构成对本专利权利要求的合理回避。在传统的直拉炉内，添加陶瓷材料的隔热罩(桶)或者内衬，同样仍适用本发明的权利要求，不构成对本专利权利要求的合理回避。在传统的直拉炉的金属内壁，使用喷，涂，镀或者其他方法添加陶瓷层(膜)，同样仍适用本发明的权利要求，不构成对本专利权利要求的合理回避。出于成本及结构设计(真空，机械支撑，运动部件，热负荷等)的综合考虑，本发明可以为综上所述各种实现方法中若干种方法的有机结合。任何熟悉硅材料直拉技术的工程技术人员可以理解这些方法同本发明互为等价，不构成对本发明的合理规避。备注：＊以上权利要求不限于拉制单晶(mono(single)crystalline)，其他多晶(multicrystalline，polycrystalline，)或无定型态(amorphous)等硅晶体结构都适用本发明所要求的权利范围
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