[发明专利]一种用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法有效
| 申请号： | 201210099895.X | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102856223A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 许秀娟;折伟林;周翠;晋舜国 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 罗丹 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，包括：将铝质烙铁头的烙铁温度调节到186～210摄氏度，使用助焊剂将纯度为99.999％以上的铟焊接到银丝引线的一端，形成铟球；去除铟球表面附着的助焊剂；将铝质烙铁头的烙铁温度调节到165～185摄氏度，将带有银丝引线的铟球焊接到经过碲镉汞薄膜片边缘上，制成测试电极。本发明有效地解决了传统的焊接方法经常会出现的测试中低温下电极断开、重复制备测试电极、碲镉汞薄膜表面铟的沾污面积增大、测试中欧姆接触不好、多次重复测试、测试后铟球不易去除等问题，且大大提高了电学性能测试中的测试结果的准确性和工作效率，提高了碲镉汞薄膜片的使用面积，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碲镉汞 薄膜 电学 性能 测试 电极 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种用于碲镉汞薄膜电学性能测试的电极处理方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，将铝质烙铁头的烙铁温度调节到186～210摄氏度，使用助焊剂将纯度为99.999％以上的铟焊接到银丝引线的一端，形成铟球；所述铝质烙铁头的纯度为95％以上；步骤二，去除铟球表面附着的助焊剂；步骤三，将铝质烙铁头的烙铁温度调节到165～185摄氏度，将带有银丝引线的铟球焊接到碲镉汞薄膜片边缘上，制成测试电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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