[发明专利]半导体芯片与封装结构以及其形成方法无效
| 申请号： | 201210099960.9 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN103367282A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L25/065;H01L21/98 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片，包含基底、穿硅通孔、上凸块以及下凸块。基底具有上表面以及相对于上表面的下表面。穿硅通孔设置于基底中，贯穿上表面以及下表面。上凸块设置于上表面上，并与穿硅通孔电性连接。下凸块设置于下表面上，并与穿硅通孔电性连接。图案化层设置于上凸块上，图案化层具有开孔，且开孔与下凸块的宽度相同。本发明另外还提供了一种封装结构与其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，其特征在于，包括：基底，具有上表面和相对所述上表面的下表面；穿硅通孔，设置在基底中，其贯穿上表面和下表面；上凸块，设置在上表面上，且和穿硅通孔电性连接；下凸块，设置在下表面上，且和穿硅通孔电性连接；以及图案化层，设置在上凸块上，图案化层具有开孔，且开孔与下凸块的宽度相同。
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