[发明专利]一种NAND闪存芯片及其棋盘格检查时的芯片编程方法有效

专利信息
申请号: 201210100117.8 申请日: 2012-04-06
公开(公告)号: CN103366826A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 苏志强;丁冲 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C29/10 分类号: G11C29/10
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 栗若木;曲鹏
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种NAND闪存芯片及其棋盘格检查时的芯片编程方法;NAND闪存芯片包括:主阵列、控制模块;内置样本生成器;所述控制模块用于当要进行棋盘格检查时,指示所述内置样本生成器生成进行芯片编程所需的序列;待所述内置样本生成器生成序列后,发起编程执行命令,将所述序列从所述内置样本生成器传送到所述主阵列中进行编程。本发明能提高NAND Flash的测试速度,降低测试成本。
搜索关键词: 一种 nand 闪存 芯片 及其 棋盘 检查 编程 方法
【主权项】:
一种NAND闪存芯片,包括:主阵列、控制模块;其特征在于,还包括:内置样本生成器;所述控制模块用于当要进行棋盘格检查时,指示所述内置样本生成器生成进行芯片编程所需的序列;待所述内置样本生成器生成序列后,发起编程执行命令,将所述序列从所述内置样本生成器传送到所述主阵列中进行编程。
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