[发明专利]一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺无效
| 申请号： | 201210100753.0 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102615738A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 魏冠然;王天安 | 申请（专利权）人： | 魏冠然 |
| 主分类号： | B29B17/02 | 分类号： | B29B17/02 |
| 代理公司： | 上海世贸专利代理有限责任公司 31128 | 代理人： | 叶克英 |
| 地址： | 200434 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺。其特征在于：对非导电基体的金属薄层表面进行高压放电。本发明的优点是分离非导电基体上金属薄层的过程为物理过程，不伴有化学反应。因此本工艺不产生二次污染。分离程度与时间呈正比，便于工程参数调节。（化学法处理要考虑反应速率方程，参数调节繁琐）本工艺的能耗较低，运行费用低廉。以光盘为例，化学法处理费用约500元/吨，而本工艺的实验数据推测出的处理费用不超过100元/吨。本工艺只需使用电能，无需化工原料，也没用排污需求。因此工程应用不受地缘因素影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 放电 分离 导电 基体 金属 薄层 工艺 | ||
【主权项】：
一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺，其特征在于：对非导电基体的金属薄层表面进行高压放电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于魏冠然，未经魏冠然许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210100753.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：宽幅打印机走纸工作平台
- 下一篇：一种胶管划定位线工装
