[发明专利]薄膜太阳能电池飞秒激光刻蚀工艺过程测控方法无效

专利信息
申请号: 201210100799.2 申请日: 2012-04-09
公开(公告)号: CN102615436A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 景超 申请(专利权)人: 镇江大成新能源有限公司
主分类号: B23K26/42 分类号: B23K26/42
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 212132 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种薄膜太阳能电池飞秒激光刻蚀工艺过程测控方法,通过高度集成的LIBS模块与激光发射器协同工作,在PPt级精度在线、非接触实现数据采集、处理信号反馈控制。本发明的优点是针对飞秒激光的特殊性以及其特点,通过专门的刻蚀过程测控方法进行测控,以保证刻蚀过程与预设参数的一致性,确保刻蚀效果,薄膜太阳能电池刻蚀的刻槽宽度能够达到3微米,深度的精度控制可以达到100纳米。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 激光 刻蚀 工艺 过程 测控 方法
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池飞秒激光刻蚀工艺过程测控方法,其特征在于:通过高度集成的LIBS模块与激光发射器协同工作,在PPt级精度在线、非接触实现数据采集、处理信号反馈控制。
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