[发明专利]基于网格位移模型的电阻抗断层成像方法有效
申请号: | 201210101066.0 | 申请日: | 2012-04-09 |
公开(公告)号: | CN102599907A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 戴涛;蒲洋 | 申请(专利权)人: | 成都晨德科技有限公司 |
主分类号: | A61B5/053 | 分类号: | A61B5/053 |
代理公司: | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 成实 |
地址: | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于网格位移模型的电阻抗断层成像方法,克服了现有技术在待测体发生形变后其电阻抗断层成像质量不高的缺陷。该基于网格位移模型的电阻抗断层成像方法,包括以下步骤:(1)通过待测体得到有限元网格位移模型,并对该待测体进行数据采集,根据采集到的数据计算差分电压信号;(2)计算待测体电导率变化近似值;(3)计算所得的在有限元网格位移模型中进行显示,其显示出来的图像即为待测体的实时差分图像。本发明利用有限元网格位移模型来修正待测体全部区域的结构形变,与现有技术相比,成像质量得到了明显提高。 | ||
搜索关键词: | 基于 网格 位移 模型 阻抗 断层 成像 方法 | ||
【主权项】:
1.基于网格位移模型的电阻抗断层成像方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)通过待测体得到有限元网格位移模型,并对该待测体进行数据采集,根据采集到的数据计算差分电压信号,其中,为当前时刻的电压信号,为参考信号;(2)计算待测体电导率变化近似值,其中,为增广敏感度矩阵,为的转置,为反映采集通道噪声情况的矩阵,为正则化参数,为NOSER先验条件,则为步骤(1)中采集数据时计算所得的差分电压信号;(3)计算所得的在有限元网格位移模型中进行显示,其显示出来的图像即为待测体的实时差分图像。
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