[发明专利]具有控制电极的穿硅通孔与其制作方法有效
| 申请号： | 201210101419.7 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103367309A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有控制电路的穿硅通孔，包含一基底，一导电电极，一垂直晶体管以及一导电层。其中导电电极贯穿所述基底。垂直晶体管包含一源极、一通道以及一漏极设置于所述导电电极上，通道设置于所述源极与所述漏极之间；一栅极设置于所述基底中；以及一栅极介电层设置于所述通道与所述栅极之间。导电层设置于所述垂直晶体管的所述漏极上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 控制 电极 穿硅通孔 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有控制电路的穿硅通孔，其特征在于，包含：基底；导电电极，其贯穿所述基底；垂直晶体管，包含：一源极、一通道以及一漏极设置于所述导电电极上，通道设置于所述源极与所述漏极之间；一栅极设置于所述基底中，并包围所述通道；以及一栅极介电层设置于所述通道与所述栅极之间；以及导电层，设置于所述垂直晶体管的所述漏极上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210101419.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
