[发明专利]双重光刻胶结构及其处理方法有效
| 申请号： | 201210101490.5 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103365094A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇;伍强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;G03F7/00;G03F7/038;G03F7/039 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双重光刻胶结构，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层反性，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间形成有中间层，所述中间层用于防止正性光刻胶与负性光刻胶中的碱及在曝光后形成的光酸的相互扩散。此外，本发明还提供了该双重光刻胶结构的处理方法。采用本发明的技术方案，可以避免正性光刻胶与负性光刻胶中的碱及在曝光后形成的光酸的相互扩散，影响双重光刻胶上的图案的精细程度，同时由于蚀刻选择比的提高，上层光刻胶图形转移到下层光刻胶的保真度得以提高。 | ||
| 搜索关键词： | 双重 光刻 胶结 及其 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种双重光刻胶结构，其特征在于，包括依次形成在目标层上的第一光刻胶层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层反性，所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间形成有中间层，所述中间层用于防止正性光刻胶与负性光刻胶中的碱及在曝光后形成的光酸的相互扩散。
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