[发明专利]一种单向导电耐压器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210101666.7 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367362A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单向导电耐压器件，包括：P型硅上部左侧形成有一N阱，N阱的上部形成有一N+注入层；P型硅上部右侧形成有二个以上串联的MOS结构；所述MOS结构包括P型硅、N+注入层、栅氧化层和栅极；栅氧化层形成于P型硅上方；N+注入层形成于P型硅上部，栅氧化层两边旁侧下方；栅极形成于栅氧化层的上方；其中，最左侧的MOS结构的栅氧化层与N阱相邻，每个MOS结构的栅极通过金属导线与其相邻的N+注入层相连。本发明还公开了一种单向导电耐压器件的制造方法。本发明还提供了一种单向导电耐压器件的制造方法。本发明的单向导电耐压器件与传统高压二极管相比在提供相同抗击穿电压的同时能提供更大的正向导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单向 导电 耐压 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单向导电耐压器件，其特征是，包括：P型硅上部左侧形成有一N阱，N阱的上部形成有一N+注入层；P型硅上部右侧形成有二个以上串联的MOS结构；所述MOS结构包括P型硅、N+注入层、栅氧化层和栅极；栅氧化层形成于P型硅上方；N+注入层形成于P型硅上部，栅氧化层两边旁侧下方；栅极形成于栅氧化层的上方；其中，最左侧的MOS结构的栅氧化层与N阱相邻，每个MOS结构的栅极通过金属导线与其相邻的N+注入层相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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