[发明专利]肖特基二极管和其制造方法有效
| 申请号： | 201210101700.0 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102738247B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·斯塔罗韦茨基;奥尔加·克雷姆帕斯卡;马丁·普雷德梅尔斯基 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 杨靖,车文 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种肖特基二极管和其制造方法，该制造方法具有以下重要步骤准备高掺杂物浓度的优选为晶圆形式的半导体基体，该半导体基体具有构成第一电接触表面的第一主面；在所述半导体基体的与第一主面相对设置的面上外延沉积具有相同导电性的和较低掺杂物浓度的半导体层；在第一金属层与半导体层之间构成肖特基接触的情况下在所述半导体层上布置第一金属层；借助连接介质连接平面接触体与第一金属层；构成至少一个单个肖特基二极管；在所述至少一个肖特基二极管的边缘区域内布置钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
肖特基二极管(2)，所述肖特基二极管具有第一主面(4)和第二主面(6)以及边缘面(8)，其中各个主面(4，6)同时构成相应的第一和第二电接触表面，所述肖特基二极管具有层式构造，所述层式构造由具有第一高掺杂物浓度的半导体基体(10)、相同导电性和较低掺杂物浓度的半导体层(12)、与所述半导体层构成肖特基接触(200)的第一金属层(20)、由连接介质(30)制成的层和在此上与第二金属层(22)连接的平面接触体(32)组成，其中，所述边缘面(8)至少在所述肖特基接触(200)的区域内与所述半导体层(12)、所述第一金属层(20)、所述第二金属层(22)以及所述由连接介质(30)制成的层成多于5度地偏离直角的角(80)，并且所述肖特基二极管具有所述肖特基二极管(2)的边缘面(8)的钝化层(60)，该钝化层至少覆盖所述边缘面(8)的那个在所述肖特基接触(200)周围的区段。
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