[发明专利]显露穿硅通孔的方法无效
| 申请号： | 201210101810.7 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367239A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种显露穿硅通孔的方法。首先提供半导体基板，包括第一面及第二面；于所述半导体基板的第一面形成穿硅通孔结构，包括金属层、阻障层及绝缘层；去除掉部分厚度的半导体基板，从第二面显露出穿硅通孔结构；于所述半导体基板的第二面上沉积氮化硅层及氧化硅层；进行化学机械抛光工艺，将氧化硅层、部分的氮化硅层、绝缘层及阻障层磨平去除，显露出金属层，其中显露出金属层的表面与氧化硅层的表面是齐平的；将部分厚度的氧化硅层蚀刻掉，使半导体基板的第二面上的金属层突出于氧化硅层的表面；于所述半导体基板的第二面上进行凸块下金属化层的制作；以及于凸块下金属化层上形成金属凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 显露 穿硅通孔 方法 | ||
【主权项】：
一种显露穿硅通孔的方法，其特征在于，包括：提供半导体基板，包括第一面及第二面；在所述半导体基板的第一面形成穿硅通孔结构，包括金属层、阻障层及绝缘层；去除掉部分厚度的半导体基板，从第二面显露出穿硅通孔结构；在所述半导体基板的第二面上沈积氮化硅层及氧化硅层；进行化学机械抛光工艺，将氧化硅层、部分的氮化硅层、绝缘层及阻障层磨平去除，显露出金属层，其中显露出金属层的表面与氧化硅层的表面是齐平的；将部分厚度的氧化硅层蚀刻掉，使半导体基板的第二面上的金属层突出在氧化硅层的表面；在所述半导体基板的第二面上进行凸块下金属化层的制作；以及在凸块下金属化层上形成金属凸块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
