[发明专利]一种多掺杂口袋结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210101859.2 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102623495A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 黄如;邱颖鑫;詹瞻 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种多掺杂口袋结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明提出的隧穿场晶体管具有三个掺杂口袋，其中第一掺杂口袋(204)和第二掺杂口袋(205)与源区(203)掺杂类型相同，第三掺杂口袋(202)则与源区(203)掺杂杂质类型相反并位于所述的两个掺杂口袋与源区之间。这三个掺杂口袋的目的在于夹在第一、第二掺杂口袋与源区之间的第三掺杂口袋将被耗尽，这会使得源端隧穿结处的电场增加，隧穿宽度减少，从而该晶体管的驱动电流提升且亚阈斜率减少，性能得到提升。通过控制这三个掺杂口袋的掺杂特性可以继续优化器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 口袋 结构 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多掺杂口袋结构的隧穿场效应晶体管，其特征是，所述隧穿场效应晶体管包括：具有第一种掺杂类型的半导体衬底(201)；在半导体衬底(201)上形成的具有第一种掺杂类型的源区(203)；在半导体衬底(201)上形成的具有第二种掺杂类型的漏区(208)；在半导体衬底(201)上形成的具有第二种掺杂类型并且毗邻源区(203)的第三掺杂口袋(202)；在半导体衬底(201)上形成的具有第一种掺杂类型的并且毗邻第三掺杂口袋(202)的第一掺杂口袋(204)和第二掺杂口袋(205)；在半导体衬底(201)上，在源区(203)和漏区(208)之间、去除第一掺杂口袋(204)和第二掺杂口袋(205)外的区域所形成的沟道区(213)；形成覆盖沟道区的第一绝缘层(206)；在第一绝缘绝缘层(206)上形成的第一导电层(207)；覆盖源区(203)、漏区(208)、第一导电层(207)上的第二绝缘层(209)；在第二绝缘层(209)中形成源区(203)上的源电极(212)，漏区(208)上的漏电极(210)和由第一绝缘层(206)和第一导电层(207)组成的栅叠层区上的栅电极(211)；所述第一掺杂类型和第二掺杂类型使用的掺杂杂质类型相反。
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