[发明专利]一种利用物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法无效
| 申请号： | 201210101930.7 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103361718A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王文军;左思斌;陈小龙;王军;姜良宝;鲍慧强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，包括：对原料区和氮化铝籽晶加热，将原料区加热至生长温度，且在将原料区被加热至所述生长温度之前，至少在原料区到达1650℃以上之后，保持籽晶的温度大于等于原料区的温度；调整原料区和氮化铝籽晶至少其中之一的温度，以在原料区和氮化铝籽晶之间形成温度梯度，以进行氮化铝单晶的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 物理 相传 生长 氮化 铝单晶 方法 | ||
【主权项】：
一种利用物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，包括：1)对原料区和氮化铝籽晶加热，将原料区加热至生长温度，且在将原料区被加热至所述生长温度之前，至少在原料区到达1650℃以上之后，保持籽晶的温度大于等于原料区的温度；2)调整原料区和氮化铝籽晶至少其中之一的温度，以在原料区和氮化铝籽晶之间形成温度梯度，以进行氮化铝单晶的生长。
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