[发明专利]发光元件、发光元件阵列、光写头、及图像形成设备

摘要

本发明提供发光元件、发光元件阵列、光写头、及图像形成设备。所述发光元件包括半导体衬底和形成在该半导体衬底上的岛结构。所述岛结构包括发光单元晶闸管和电流限制结构。所述发光单元晶闸管包括具有pnpn结构的堆叠的多个半导体层。所述电流限制结构包括高阻区和导电区，并限制所述导电区中的载流子。

主权项

一种发光元件，包括：半导体衬底；以及岛结构，其形成在所述半导体衬底上，所述岛结构包括：发光单元晶闸管，其包括具有pnpn结构的堆叠的多个半导体层，传递单元晶闸管，其包括所述半导体衬底上的具有pnpn结构的多个半导体层，二极管和直接在该二极管下方的寄生晶闸管，所述二极管由所述半导体衬底上的pnpn结构中的顶部pn层形成，所述寄生晶闸管包括所述半导体衬底上的具有pnpn结构的多个半导体层，以及电流限制结构，所述电流限制结构包括高阻区和导电区，并且用于限制所述导电区中的载流子，其中所述发光单元晶闸管的顶部阴极层、所述传递单元晶闸管的顶部阴极层和所述寄生晶闸管的顶部阴极层彼此分离，其中所述电流限制结构中的高阻区和所述寄生晶闸管的阴极层重叠时所述高阻区与所述寄生晶闸管的阴极层的面积比大于所述电流限制结构中的高阻区和所述传递单元晶闸管的阴极层重叠时所述高阻区与所述传递单元晶闸管的阴极层的面积比，且大于所述电流限制结构中的高阻区和所述发光单元晶闸管的阴极层重叠时所述高阻区与所述发光单元晶闸管的阴极层的面积比。