[发明专利]应力增强的半导体器件有效
| 申请号： | 201210102388.7 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103107197B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 吴政宪;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所11306 | 代理人： | 陆鑫,房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括设置在衬底上方的栅极。衬底具有凹槽。半导体器件包括沿着凹槽涂覆的沟槽衬垫。沟槽衬垫包括半导体晶体材料。沟槽衬垫直接邻接源极/漏极应力源器件。半导体器件还包括设置在沟槽衬垫上并填充凹槽的介电沟槽元件。半导体器件包括设置在衬底中的源极/漏极应力源器件。该源极/漏极应力源器件被设置在栅极和沟槽衬垫之间。本发明提供了应力增强的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 增强 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅极结构，位于衬底上方；源极/漏极元件，位于所述栅极结构旁边且至少部分位于所述衬底中；以及隔离结构，位于所述衬底中且邻近所述源极/漏极元件；其中：所述隔离结构包括被衬垫层至少部分包围的介电部；以及所述衬垫层包括晶体材料，所述衬垫层与所述源极/漏极元件物理接触，并且通过所述衬垫层增大了所述隔离结构与所述源极/漏极元件之间的界面面积从而增大了所述源极/漏极元件带来的应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210102388.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于管理电池单体的方法、以及能量存储系统
- 下一篇：泵转子
- 同类专利
- 专利分类
