[发明专利]蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法在审
| 申请号： | 201210102583.X | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102827611A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 郑钟铉;金善一;朴智荣;金湘甲;宋溱镐;崔新逸;权五柄;朴英哲;刘仁浩;李昔准;林玟基;张尚勋;秦荣晙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;C23F1/16;H01L21/3213;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种蚀刻剂以及制造金属线和使用其的薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂包含过硫酸盐、氟化物、无机酸、环胺、磺酸、以及有机酸及其盐中的一种。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 以及 制造 金属线 使用 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻剂，包含：相对于所述蚀刻剂的总重量，以约0.5重量％至约20重量％的量包含的过硫酸盐；相对于所述蚀刻剂的总重量，以约0.01重量％至约2重量％的量包含的氟化物；相对于所述蚀刻剂的总重量，以约1重量％至约10重量％的量包含的无机酸；相对于所述蚀刻剂的总重量，以约0.5重量％至约5重量％的量包含的环胺；相对于所述蚀刻剂的总重量，以约0.1重量％至约10.0重量％的量包含的磺酸；以及相对于所述蚀刻剂的总重量，以约0.1重量％至约10重量％的量包含的有机酸或其盐中的至少一种。
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