[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201210102931.3 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102664194A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 许民庆;吴钊鹏;黎昔耀;曹岩 | 申请（专利权）人： | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，薄膜晶体管包括基板、栅极、栅绝缘层、主动层、源极、漏极，栅极设置于基板上，栅绝缘层覆盖栅极及基板，主动层设置于该栅绝缘层上，并位于栅极上方，源极和漏极分别设置于主动层上，且源极与源极相对设置；其中，栅绝缘层包括设置于栅极及基板上的第一栅绝缘层、在第一栅绝缘层之上的第二栅绝缘层，且第一栅绝缘层的膜质比第二栅绝缘层的膜质致密，因而，即使在切割或者制造过程中产生了静电，本发明的栅极与源极、漏极之间也不容易发生静电击穿的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一薄膜晶体管，包括：一基板；一栅极，设置于该基板上；一栅绝缘层，覆盖该栅极及该基板；一主动层，设置于该栅绝缘层上，并位于该栅极上方；一源极，设置于该主动层上；一漏极，设置于该主动层上，并与该源极相对设置；其中，该栅绝缘层包括设置于栅极及该基板上的第一栅绝缘层、在该第一栅绝缘层之上的第二栅绝缘层，且该第一栅绝缘层的膜质比该第二栅绝缘层的膜质致密。
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