[发明专利]一种有机薄膜场效应晶体管的制备方法无效
| 申请号： | 201210102940.2 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102610757A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;肖燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;金玉兰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备有机薄膜场效应晶体管的方法，将高分子聚合物和有机半导体分子的混合物溶解到有机溶剂中，形成混合溶液；然后通过电纺丝设备将混合溶液喷至在源、漏电极间的沟道中，形成有机半导体纳米纤维膜，作为有机薄膜场效应晶体管的有源层。通过电纺丝技术实现了低成本、大规模纳米尺度高效有机薄膜场效应晶体管的大规模制作。同时，该制备方法要求的环境很宽松，不需要在手套箱等无水无氧环境下实施，简化了工艺，且制得的有机电子器件具有很强的抗水氧能力，很好的改善了有源层膜的制备方法来获得高性能的场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 薄膜 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备有机薄膜场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：将高分子聚合物与有机半导体分子溶解到有机溶剂中，制备高分子聚合物与有机半导体分子的混合溶液；以及，通过电纺丝设备利用该混合溶液制备有机薄膜场效应晶体管的有源层，形成有机半导体纳米纤维膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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