[发明专利]一种单晶硅太阳电池的制绒工艺无效
| 申请号： | 201210103012.8 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102618937A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 肖俊峰;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅太阳电池的制绒工艺，包括如下步骤：(1)将单晶硅片放入弱碱性清洗液进行清洗，去除硅片表面损伤；(2)将清洗后的单晶硅片放入氢氧化钾和异丙醇的混合液中，在硅片表面形成金字塔结构的绒面；(3)将步骤(2)完成后的硅片放入混合溶液中进行制绒，使其表面形成多孔金字塔结构的绒面；所述混合溶液为HF溶液、AgNO3溶液和H2CrO4溶液的混合液；(4)清洗硅片。本发明开发了一种新的单晶硅太阳电池的制绒工艺，实验证明，最终经过处理的单晶硅表面反射率在可见光范围内可以稳定在5%以下，取得了显著的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 太阳电池 工艺 | ||
【主权项】：
一种单晶硅太阳电池的制绒工艺，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将单晶硅片放入弱碱性清洗液中进行清洗，去除硅片表面损伤；(2) 将清洗后的单晶硅片放入氢氧化钾和异丙醇的混合液中，在硅片表面形成金字塔结构的绒面；(3) 将步骤(2)完成后的硅片放入混合溶液中进行制绒，使其表面形成多孔金字塔结构的绒面；所述混合溶液为HF溶液、AgNO3溶液和H2CrO4溶液的混合液，三者的浓度分别为5~15mol/L、0.0001~0.0004mol/L和0.05~0.5mol/L；反应时间为5~20min，反应温度为10~70℃；(4) 清洗硅片。
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