[发明专利]基于MOSFET结构的DNA电化学传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201210103139.X | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102628827A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杨楠;艾洪新;臧伯玮;何越 | 申请（专利权）人： | 凯晶生物科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MOSFET结构的DNA电化学传感器，包括CMOS衬底，所述CMOS衬底上沉积有氮化硅层，所述氮化硅层上覆盖二氧化硅绝缘层；其特征在于所述二氧化硅绝缘层为具有微孔结构的微孔阵列，所述微孔侧壁上SiO2绝缘层通过羧基偶联有DNA探针作为敏感元件。该微孔结构不但可以检测DNA探针与DNA靶标之间的结合而且可以在微孔中进行模板扩增有利于利用pH检测功能来检测DNA的合成，进而具有DNA测序功能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mosfet 结构 dna 电化学传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于MOSFET结构的DNA电化学传感器，包括CMOS衬底，所述CMOS衬底上沉积有氮化硅层，所述氮化硅层上覆盖二氧化硅绝缘层；其特征在于所述二氧化硅绝缘层为具有微孔结构的微孔阵列，所述微孔侧壁上SiO2绝缘层通过羧基偶联有DNA探针作为敏感元件。
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