[发明专利]半导体装置及其制造方法、固体摄像装置以及电子设备

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法、固体摄像装置以及电子设备，所述制造方法包括：接合第一和第二半导体晶片，第一半导体晶片包括第一基板和第一绝缘层，第二半导体晶片包括第二基板和第二绝缘层；形成第三绝缘层；进行蚀刻以使得在第二布线层上留下第二绝缘层，由此形成第一连接孔；在第一连接孔上形成绝缘膜；对第二绝缘层和绝缘膜进行蚀刻以形成第二连接孔且使第二布线层露出；在连接孔内部形成第一过孔，且使第一过孔连接至第二布线层，形成于第一基板的另外一个表面处的第一连接孔的直径大于形成于第三绝缘层处的第一连接孔的直径。根据本发明，可对层叠有半导体晶片的电路进行连接，同时抑制因形成过孔时的蚀刻而对基板或布线造成的影响。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：层叠第一半导体晶片以及第二半导体晶片，并且将所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片彼此接合，所述第一半导体晶片包括第一基板和与所述第一基板的一个表面相接触而形成的第一绝缘层，所述第二半导体晶片包括第二基板和与所述第二基板的一个表面相接触而形成的第二绝缘层；在与所述第一基板的所述一个表面相反侧的另外一个表面上形成第三绝缘层；贯穿所述第三绝缘层、所述第一基板以及所述第一绝缘层进行蚀刻，以使得在形成于所述第二绝缘层中的第二布线层上留下所述第二绝缘层，由此形成第一连接孔；在所述第一连接孔上形成绝缘膜；对所述第二布线层上的所述第二绝缘层和所述绝缘膜进行蚀刻以形成第二连接孔，并且使所述第二布线层露出；并且在所述第一连接孔和所述第二连接孔内部形成第一过孔，且使得所述第一过孔连接至所述第二布线层，其中，形成于所述第一基板的所述另外一个表面处的所述第一连接孔的直径大于形成于所述第三绝缘层处的所述第一连接孔的直径。